新型超薄半导体有望延长摩尔定律的生命

一项近十年的关于石墨烯和二维材料的密集研究后，一种名为硒化铟（InSe）的新型半导体材料展现出对未来超快电子设备的潜力。石墨烯仅为一层原子厚，表现出无与伦比的电子性质，引发了对其在未来电子电路中应用的广泛讨论。然而，石墨烯缺乏能隙，更像金属而非常规半导体。而新的研究显示，InSe晶体可以制备成只有几个原子层厚度，几乎与石墨烯相媲美。InSe具有远高于硅的电子质量，且与硅相似，超薄的InSe具有较大的能隙，使得晶体管易于开关，从而可实现下一代超快电子设备。研究发表在《自然纳米技术》上，研究人员来自曼彻斯特大学和诺丁汉大学。研究人员相信，通过与其他新材料结合，可以开发出超出我们想象的应用，从而推动未来电子学的发展。示例仅比人类头发截面略大的InSe晶体薄膜具有极高的电子迁移率，研究人员认为，借助目前用于生产大面积石墨烯片的技术，很快也能在商业层面上制备InSe。曼彻斯特国家石墨研究所的弗拉基米尔·法尔科教授表示：“我们不断寻找新的层状材料以尝试。”随着科学和工程学之间的桥梁，目前在石墨烯及相关二维材料领域的研究是材料科学中增长最快的领域之一。